0000012440 00000 n Le rappel, dans les figures 2 et 3, de deux circuits d'asservissement connus permettra de mieux faire ressortir la différence du circuit selon l'invention.Pour l'ensemble des figures 2 à 5 ne sont représentés que la diode d'asservissement ou de contre-réaction 4 et les composants d'amplification du signal fourni par cette diode; la diode laser 1 et le circuit d'asservissement, qui fait partie de l'alimentation 3, ne sont pas représentés.En figure 2, la composante continue et la composante alternative du signal émis par la photodiode 4 sont amplifiées simultanément par l'amplificateur 5. 0000010195 00000 n Il est essentiellement constitué par une paire différentielle de transistors 20 et 21, de type unipolaire ou bipolaire, NPN ou PNP. Si la valeur moyenne VC'est pourquoi il est connu d'amplifier séparément, comme représenté en figure 3. aux transmissions de données sur fibre optique.Circuit d'asservissement de la puissance modulée émise par un laser semiconducteur 338 (E-795)28 Juillet 1989 & JP-A-01 098 284 ( FUJITSU LTD ) 0000011022 00000 n 0000000996 00000 n 0000011706 00000 n Le signal à transmettre est à priori à haute fréquence, en microondes, parce qu'on n'utilise pas des fibres optiques pour transmettre des signaux en basse fréquence, jusqu'à quelques mégahertz : il existe pour cela des solutions beaucoup plus simples.La photodiode d'asservissement 4 ne constitue qu'un capteur d'information, et pour pouvoir asservir le laser 1 il faut amplifier cette information fournie par la photodiode 4. 0000002722 00000 n 0000002199 00000 n Supposons, pour simplifier l'exposé, que ce signal à transmettre soit de type logique, ou numérique : la forme de ce signal est représentée en figure 4 à droite de la photodiode. xref 0000004184 00000 n du signal analogique qui est fonction de leurs caractéristiques propres, telle que la tension de seuil par exemple. Un transistor 22, placé à l'entrée du commutateur, abaisse l'impédance d'entrée vue par la photodiode 4, ce qui augmente la bande passante du commutateur. 0000000016 00000 n

Un laser semiconducteur (1) utilisé en transmission de données émet un faisceau lumineux dont il faut asservir la puissance moyenne (continue) et le taux de modulation (haute fréquence). Mais le courant qui traverse le laser 1 est asservi par l'alimentation 3, qui comprend une photodiode 4 d'asservissement : cette photodiode est disposée en face de la seconde face du laser 1, et elle est éclairée par le faisceau arrière du laser. Puissance moyenne d'un signal: (dimension carré de celle de x(t)). 0000003540 00000 n 0000007110 00000 n La présente invention concerne un limiteur de puissance (20) de signaux électromagnétiques et son procédé de conception. Le circuit d'inversion n'est pas représenté, mais il est connu qu'un simple transistor suffit à cette fonction. by operating on the active mediumStabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parametersDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICALProcesses or apparatus for excitation, e.g. Une diode laser 1 émet un signal optique hν, par une première face, en direction d'une fibre optique 2. 288 0 obj <> endobj Ces deux tensions continues sont aisément amplifiées par des amplificateurs simples. %PDF-1.4 %���� 0000002041 00000 n DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICALArrangements for controlling the laser output parameters, e.g. 0000035013 00000 n Determination de decalage temporel et/ou de puissance d'un signal multiporteur Download PDF Info Publication number EP1508209B1. 0000014883 00000 n EP1508209B1 EP20030755212 EP03755212A EP1508209B1 EP 1508209 B1 EP1508209 B1 EP 1508209B1 EP 20030755212 EP20030755212 EP 20030755212 EP 03755212 A EP03755212 A EP 03755212A EP 1508209 B1 EP1508209 B1 EP 1508209B1 Authority EP …

288 35 by electron beamsElectrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laserCircuit d'asservissement de la puissance modulée émise par un laser semiconducteur

0000013155 00000 n 0000007741 00000 n Un laser semiconducteur (1) utilisé en transmission de données émet un faisceau lumineux dont il faut asservir la puissance moyenne (continue) et le taux de modulation (haute fréquence).Ce circuit d'asservissement comprend, en série avec la photodiode (4) de contre-réaction, un commutateur (12) commandé par le signal modulant (10) et par son inverse (11).

La puissance moyenne d'un signal périodique est donc donnée par la somme de la puissance liée à la composante continue du signal P DC et la puissance moyenne de la composante alternative de ce signal P AC. Le commutateur (12) délivre sur ses deux sorties (15,16) les puissances maxima (VLa présente invention concerne un circuit d'asservissement du signal émis par un laser semiconducteur. Ce commutateur est commandé par le signal appliqué sur le laser, appelé signal modulant, et par le signal modulant inverse, de sorte qu'une voie de commutateur délivre une tension correspondant à la puissance maximale du signal, et l'autre voie délivre une tension correspondant à la puissance minimale du signal. Obtention des mesures de puissance d'un signal DOCSIS en aval à l'aide d'un analyseur de spectre Contenu Introduction Conditions préalables Conditions requises Composants utilisés Déni de responsabilité Conventions Compréhension de la meule de foin Mesure de l'alimentation des transporteurs rf Installation de l'Upconverter Connecter les câbles Mesure du signal de l'en aval rf …